[发明专利]注入锁定分频器、以及锁相环电路有效
| 申请号： | 201180001435.2 | 申请日： | 2011-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN102356547A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 岛高广;佐藤润二;小林真史 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H03K3/354 | 分类号： | H03K3/354;H03K3/03;H03K27/00;H03L7/08;H03L7/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邸万奎 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了能够减小寄生电容的影响，工作频率为宽带的注入锁定分频器以及PLL电路。注入锁定分频器(100)包括：环形振荡器(140)，环状地三级级联了由N沟道MOS型晶体管(111)和P沟道MOS型晶体管(112)构成的第1放大电路(141)、同样结构的第2放大电路(142)和第3放大电路(143)；N沟道MOS型晶体管(150)，其漏极连接到各级的N沟道MOS型晶体管(111、121、131)的源极；以及差分信号注入电路(160)，将注入信号(I1)注入到各级的P沟道MOS型晶体管(112、122、132)的栅极，并且将注入信号(I1)的反相信号作为差分信号注入到N沟道MOS型晶体管(150)的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 注入 锁定 分频器 以及 锁相环 电路 | ||
【主权项】：
注入锁定分频器，包括：环形振荡器，环状地(2n+1)级级联了包含N沟道金属氧化物半导体型晶体管和P沟道金属氧化物半导体型晶体管的放大电路，其中，n为任意的自然数；电流源，连接到所述环形振荡器，由驱动所述环形振荡器的N沟道金属氧化物半导体型晶体管构成；以及差分信号注入电路，对所述环形振荡器输出注入信号，对所述电流源输出所述注入信号的反相信号作为差分信号，所述电流源的所述N沟道金属氧化物半导体型晶体管的漏极连接到所述环形振荡器的N沟道金属氧化物半导体型晶体管的源极，所述差分信号注入电路对所述环形振荡器的P沟道金属氧化物半导体型晶体管的栅极输出所述注入信号，并且对所述电流源的所述N沟道金属氧化物半导体型晶体管的栅极输出所述差分信号。
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