[实用新型]一种近红外波段全硅基纳米光电探测器

摘要

本实用新型公开了一种近红外波段全硅基纳米光电探测器。它包括基底、硅纳米线光波导、肖特基接触电极、欧姆接触电极和绝缘层。在基底上构筑硅纳米线光波导，肖特基接触电极覆盖在它的顶部和侧壁，硅纳米线光波导与肖特基接触电极之间涂覆绝缘层，在硅纳米线光波导的平板区上相距肖特基接触电极1～2μm的地方设置欧姆接触电极。入射光从硅纳米线光波导输入，在肖特基接触区域被吸收，通过内部光发射效应转化为光生载流子，被肖特基接触电极和欧姆接触电极收集形成光电流，实现光电转换。本实用新型克服了宽禁带硅对近红外光不吸收的物理限制，具有超大带宽、偏振不敏感等优良特性，且因吸收率高可做得非常小，工艺制备与CMOS兼容，制作简单成本低。

主权项

一种近红外波段全硅基纳米光电探测器，其特征在于，包括基底（1）、硅纳米线光波导（2）、肖特基接触电极（3）、欧姆接触电极（4）和绝缘层（5），在基底（1）上构筑硅纳米线光波导（2），肖特基接触电极（3）覆盖在硅纳米线光波导（2）的顶部和侧壁，硅纳米线光波导（2）与肖特基接触电极（3）之间涂覆绝缘层（5），在硅纳米线光波导（2）的平板区上相距肖特基接触电极（3）1～2 μm的地方设置欧姆接触电极（4），入射光从硅纳米线光波导（2）输入，在肖特基接触区域被吸收，通过内部光发射效应转化为光生载流子，被肖特基接触电极（3）和欧姆接触电极（4）收集形成光电流，实现光电转换。