[实用新型]快恢复外延型二极管有效
| 申请号： | 201120564312.7 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN202405272U | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 刘利峰;张景超;吴迪;林茂;戚丽娜 | 申请（专利权）人： | 江苏宏微科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 贾海芬 |
| 地址： | 213022 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种快恢复外延型二极管，包括依次相连接的金属阴极层、N+衬底硅片、N型外延层、P型外延层和P+型外延层，且终端台面上具有台面硅槽，台面硅槽穿过P+型外延层和P型外延层并延伸至N型外延层内，设置在台面硅槽内的玻璃钝化层延伸至P+型外延层顶面，且玻璃钝化层上设有窗口，设置在玻璃钝化层上部的金属阳极层穿过玻璃钝化层上的窗口与P+型外延层连接。本实用新型采用多层处延层，因此能精确控制各外延层的杂质浓度和厚度，能缩短了工艺流程，因此快恢复外延型二极管参数的均匀性、一致性、重复性都很好更，容易实现快恢复二极管的低正向压降、超快速、软恢复特性等高品质特征。 | ||
| 搜索关键词： | 恢复 外延 二极管 | ||
【主权项】：
一种快恢复外延型二极管，其特征在于：包括依次相连接的金属阴极层(1)、N+衬底硅片(2)、N型外延层(3)、P型外延层(4)和P+型外延层(7)，且终端台面上具有台面硅槽(5)，台面硅槽(5)穿过P+型外延层(7)和P型外延层(4)并延伸至N型外延层(3)内，设置在台面硅槽(5)内的玻璃钝化层(6)延伸至P+型外延层(7)顶面，且玻璃钝化层(6)上设有窗口，设置在玻璃钝化层(6)上部的金属阳极层(8)穿过玻璃钝化层(6)上的窗口与P+型外延层(7)连接。
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