[实用新型]快恢复外延型二极管

权利要求书

1.一种快恢复外延型二极管，其特征在于：包括依次相连接的金属阴极层(1)、N+衬底硅片(2)、N型外延层(3)、P型外延层(4)和P+型外延层(7)，且终端台面上具有台面硅槽(5)，台面硅槽(5)穿过P+型外延层(7)和P型外延层(4)并延伸至N型外延层(3)内，设置在台面硅槽(5)内的玻璃钝化层(6)延伸至P+型外延层(7)顶面，且玻璃钝化层(6)上设有窗口，设置在玻璃钝化层(6)上部的金属阳极层(8)穿过玻璃钝化层(6)上的窗口与P+型外延层(7)连接。

2.根据权利要求1所述的快恢复外延型二极管，其特征在于：所述N型外延层(3)的厚度控制在1～300μm、电阻率在1～150欧姆厘米。

3.根据权利要求1所述的快恢复外延型二极管，其特征在于：所述P型外延层(4)的厚度控制在1～30μm，杂质浓度控制在10¹³～10¹⁸cm^-3。

4.根据权利要求1所述的快恢复外延型二极管，其特征在于：所述P+型外延层(7)的厚度控制在0～10μm，杂质浓度控制在10¹⁸～10²²cm^-3。

5.根据权利要求1所述的快恢复外延型二极管，其特征在于：所述玻璃钝化层(6)的厚度控制在1～20μm。