[实用新型]晶硅选择性发射极太阳能电池的正电极栅线有效
申请号: | 201120465209.7 | 申请日: | 2011-11-21 |
公开(公告)号: | CN202473937U | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 崔鹏超;李华;李文;钱应五 | 申请(专利权)人: | 浙江正国太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 杭州金源通汇专利事务所(普通合伙) 33236 | 代理人: | 唐迅 |
地址: | 314500 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开的晶硅选择性发射极太阳能电池的正电极栅线,包括栅线,所述栅线的外围为锯齿状。所述的锯齿间隔地、均匀地分布在栅线周围;锯齿间间隔不大于5mm;所述锯齿形状为多边形的一部分;所述锯齿形成的遮光面积不超过栅线总面积的0.5%;本实用新型栅线周围采用锯齿状设计,增加了与高掺杂区域的接触面积,减少了因重合较差造成接触电阻增加的几率,从而增加电池片性能,提高电池片的转化效率。 | ||
搜索关键词: | 选择性 发射极 太阳能电池 电极 | ||
【主权项】:
一种晶硅选择性发射极太阳能电池的正电极栅线,包括栅线,其特征是:所述栅线的外围为外凸的锯齿状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的