[实用新型]新型衬底、外延片及半导体器件有效
| 申请号： | 201120374035.3 | 申请日： | 2011-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN202332856U | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 顾昱;钟旻远;林志鑫;陈斌 | 申请（专利权）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/04 |
| 代理公司： | 上海脱颖律师事务所 31259 | 代理人： | 李强 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型衬底，包括衬底本体，其特征在于，在衬底本体表面设置有单晶硅层。使用本实用新型中的新型衬底生产的外延层，其电阻率均匀性可以做到＜1.5％。相比于未使用本实用新型的新型衬底生产的外延层，本实用新型中的外延层电阻率均匀性数值可降低1个百分点。使用本实用新型中的新型衬底，可降低后续生产成本，提高产品品质。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 衬底 外延 半导体器件 | ||
【主权项】：
新型衬底，包括衬底本体，其特征在于，在衬底本体表面设置有单晶硅层。
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