[实用新型]薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器有效
申请号: | 201120371434.4 | 申请日: | 2011-09-27 |
公开(公告)号: | CN202373580U | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 朴相镇 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786;G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型提供一种薄膜晶体管阵列基板,涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域,能够简便快速地修复数据线上的断路,提高了修复成功率,且适用于小尺寸面板。其中薄膜晶体管阵列基板,包括基板,基板上形成有含栅极的栅线,栅线、栅极上形成有栅绝缘层,栅绝缘层上形成有半导体有缘层、像素电极层和修复线,其中,半导体有缘层位于栅极上方,半导体有缘层、像素电极层和修复线上形成有数据线、源极和漏极,其中,修复线与所述数据线相互对应,所述源级与所述半导体有缘层相接触,漏极与半导体有缘层相接触,漏极与像素电极层相接触,数据线、源极和漏极上形成有保护层。本实用新型用于薄膜晶体管阵列基板制造。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 液晶显示器 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管阵列基板,其特征在于,包括:基板;在所述基板上形成有含栅极的栅线;在所述栅线、栅极上形成有栅绝缘层;在所述栅绝缘层上形成有半导体有缘层、像素电极层和修复线;其中,所述半导体有缘层位于所述栅极上方;在所述半导体有缘层、像素电极层和修复线上形成有数据线、源极和漏极,其中,所述修复线与所述数据线相互对应,所述源极与所述半导体有缘层相接触,所述漏极与所述半导体有缘层相接触,所述漏极与所述像素电极层相接触;在所述数据线、源极和漏极上形成有保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的