[实用新型]一种槽底倾斜式排水结构有效
| 申请号： | 201120320240.1 | 申请日： | 2011-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN202230988U | 公开（公告）日： | 2012-05-23 |
| 发明（设计）人： | 左国军 | 申请（专利权）人： | 常州捷佳创精密机械有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 | 代理人： | 胡朝阳;孙洁敏 |
| 地址： | 213125 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种槽底倾斜式排水结构，其包括设备槽体、倾斜设于该设备槽体底部的底板、设于该底板最低端一侧的设备槽体上的出水口。本实用新型将设备槽体的底板做成斜面，并将出水口开在底板斜面的最低一侧的设备槽体上，通过该结构的出水口，可以快捷、有效地排尽槽体内的废液，而更换新的药液，从而保证硅片表面处理的质量，以提高产品合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倾斜 排水 结构 | ||
【主权项】：
一种槽底倾斜式排水结构，其特征在于，包括设备槽体（1）、倾斜设于该设备槽体底部的底板（2）、设于该底板最低端（B）一侧的设备槽体上的出水口（3）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
