[实用新型]BCD工艺中的高压MOS晶体管结构有效
| 申请号： | 201120293833.3 | 申请日： | 2011-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN202159671U | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 闻永祥;岳志恒;孙样慧;陈洪雷 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市(*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种BCD工艺中的高压MOS晶体管结构，所述BCD工艺中的高压MOS晶体管结构包括：第一掺杂类型的半导体衬底；第二掺杂类型的埋层，位于半导体衬底中；第二掺杂类型的半导体层，覆盖所述半导体衬底和埋层；第一掺杂类型的阱和第二掺杂类型的阱，并列位于所述半导体层中；场氧化层，位于所述第一掺杂类型的阱中；栅介质层，覆盖所述半导体层；栅电极，位于所述栅介质层和场氧化层上；源区，位于所述栅电极第一侧的第二掺杂类型的阱中；漏区，位于所述栅电极第二侧的第一掺杂类型的阱中。本实用新型可以与BCD工艺兼容，并避免场氧化层对P型离子的吸附作用导致的掺杂浓度低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | bcd 工艺 中的 高压 mos 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种BCD工艺中的高压MOS晶体管结构，其特征在于，包括：第一掺杂类型的半导体衬底；第二掺杂类型的埋层，位于半导体衬底中；第二掺杂类型的半导体层，覆盖所述半导体衬底和埋层，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反；第一掺杂类型的阱和第二掺杂类型的阱，并列位于所述半导体层中；场氧化层，位于所述第一掺杂类型的阱中；栅介质层，覆盖所述半导体层；栅电极，位于所述栅介质层和场氧化层上，所述栅电极具有相对的第一侧和第二侧，其中第一侧延伸至所述第二掺杂类型的阱上方的栅介质层上，第二侧延伸至所述场氧化层上；源区，位于所述栅电极第一侧的第二掺杂类型的阱中；漏区，位于所述栅电极第二侧的第一掺杂类型的阱中。
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