[实用新型]内嵌电容式液晶触摸屏的线路结构有效
| 申请号: | 201120248752.1 | 申请日: | 2011-07-15 |
| 公开(公告)号: | CN202120245U | 公开(公告)日: | 2012-01-18 |
| 发明(设计)人: | 陈忠国;司云聪;吕延;吕明;吉群 | 申请(专利权)人: | 南京华东电子信息科技股份有限公司 |
| 主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044;G02F1/133 |
| 代理公司: | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人: | 沈根水 |
| 地址: | 210061 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型是一种内嵌电容式液晶触摸屏的线路结构,其结构包括第一、第二、第三薄层晶体管,第一、第二铟锡氧化物ITO层;储存电容、感应液晶电容,数据读取线;优点:将电容式触控感应模块嵌入液晶显示模块内,将第二铟锡氧化物ITO层与显示模块的Vcom设置在同一层中,引入两个像素电极与相应的感应液晶电容线和储存电容线分别形成感应液晶电容和储存电容,与薄层晶体管在触控感应单元内的线路设计,消除触控模块嵌入液晶显示模块及第二铟锡氧化物ITO层与显示模块的Vcom设在同一层存在的线路干扰和噪音,减少一层铟锡氧化物ITO,简化结构,无需对彩色滤光片和液晶显示模块线路进行改造。 | ||
| 搜索关键词: | 电容 液晶 触摸屏 线路 结构 | ||
【主权项】:
内嵌电容式液晶触摸屏的线路结构,其特征是第一薄层晶体管TFT1的栅极连接到第一铟锡氧化物ITO层,第一薄层晶体管TFT1的源极连接到第二铟锡氧化物ITO层,第一薄层晶体管TFT1的漏极通过流向感应液晶电容和储存电容的连结点(P)分别连接到感应液晶电容和储存电容的第一电容电极,感应液晶电容的第二电容电极连接到一电源电压,储存电容电极的第二电容电极线连接到数据读取线;第二薄层晶体管TFT2的栅极连接到第一铟锡氧化物ITO层,第二薄层晶体管TFT2的源极连接到同一电源电压,第二薄层晶体管TFT2的漏极连接到第三薄层晶体管TFT3的源极,第三薄层晶体管TFT3的漏极连接到第二铟锡氧化物ITO层,第三薄层晶体管TFT3的栅极连接到数据读取线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京华东电子信息科技股份有限公司,未经南京华东电子信息科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201120248752.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电子标识管理系统
- 下一篇:平行方块单层电容式触控感测元件





