[实用新型]一种晶体硅太阳电池无效

专利信息
申请号: 201120232467.0 申请日: 2011-07-04
公开(公告)号: CN202120925U 公开(公告)日: 2012-01-18
发明(设计)人: 黄钦;王平;李晓华 申请(专利权)人: 常州盛世电子技术有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0352
代理公司: 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 代理人: 金辉
地址: 213144 江苏*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种晶体硅太阳电池,由减反射膜、N型硅、PN结、P型硅依次复合而成。本实用新型采用PECVD沉积氮化硅膜作为太阳电池的减反射膜,主要作用是减少光的反射,而且氮化硅膜含有大量的氢,可以很好的钝化硅中的表面悬挂键,从而提高了载流子迁移率;密集均匀的绒面可增加光的吸收面积,提高单晶硅太阳电池的短路电流,从而提高太阳能电池的光电转换效率;应用银铝浆料制作电极和背电场,优化图形设计,不仅确保了电极良好的导电性、可焊性以及背电场的平整性,更具有优异的印刷性能、附着力高、弯曲度低和转换效率高的优点。
搜索关键词: 一种 晶体 太阳电池
【主权项】:
一种晶体硅太阳电池,其特征在于:由减反射膜(2)、N型硅(3)、PN结(4)、P型硅(5)依次复合而成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州盛世电子技术有限公司,未经常州盛世电子技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201120232467.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top