[实用新型]一种反应离子刻蚀设备有效
| 申请号： | 201120186261.9 | 申请日： | 2011-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN202127001U | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 赵红艳;钱涛 | 申请（专利权）人： | 星弧涂层科技(苏州工业园区)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陆明耀;陈忠辉 |
| 地址： | 215122 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型揭示了一种反应离子刻蚀设备，包括一接地的真空室，所述真空室内的底部设有一自下而上的基片架；所述基片架即为电极，所述基片架和一电源之间连接导通，所述基片架上均匀划分为至少两层的工作区域；所述各工作区域的下部为水平架设在所述基片架上的阴极，所述各工作区域的上部为布气管路，所述布气管路上排布有布气孔，所述布气孔正对相应的阴极；所述各布气管路分别固定连接在所述真空室内，所述布气管路是螺旋盘状的结构，由螺旋盘绕的圆管组成，所述圆管与一进气管连通；所述进气管穿出所述真空室与一供气系统连接。本实用新型能够均匀刻蚀工作区域内的基片，基片架上可以同时设有多层电极，有效提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反应 离子 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
一种反应离子刻蚀设备，包括一接地的真空室，所述真空室内的底部设有一自下而上的基片架；所述基片架即为电极，所述基片架和一电源之间连接导通，其特征在于：所述基片架上均匀划分为至少两层的工作区域；所述各工作区域的下部为水平架设在所述基片架上的阴极，所述各工作区域的上部为布气管路，所述布气管路上排布有布气孔，所述布气孔正对相应的阴极；所述各布气管路分别固定连接在所述真空室内，所述布气管路是螺旋盘状的结构，由螺旋盘绕的圆管组成，所述圆管与一进气管连通；所述进气管穿出所述真空室与一供气系统连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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