[实用新型]一种驻极体麦克风内置电容专用管芯有效
| 申请号： | 201120179032.4 | 申请日： | 2011-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN202068569U | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 龚宇逊 | 申请（专利权）人： | 上海宝逊电声器材有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/01 | 分类号： | H04R19/01;H01L27/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201600 上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种驻极体麦克风内置电容专用管芯，包括设置在同一芯片上的N沟道场效晶体管与多晶电容，所述N沟道场效晶体管与多晶电容为电连接，所述N沟道场效晶体管与多晶电容之间设置有三个P+区域；所述N沟道场效晶体管包括P型衬底与P-型区域，所述P型衬底上设有P-型区域，所述N沟道场效晶体管的源电极与漏电极沟道之间设有N阱区域；所述多晶电容包括下极板、上极板以及介质层，所述下极板与上极板之间设置有介质层。本实用新型将电容同N沟道场效晶体管(JFET)集成在一个硅片上，减小了封装体积、降低了成本，具有推广作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 驻极体 麦克风 内置 电容 专用 管芯 | ||
【主权项】：
一种驻极体麦克风内置电容专用管芯，其特征在于：其包括设置在同一芯片上的N沟道场效晶体管与多晶电容，所述N沟道场效晶体管与多晶电容为电连接，所述N沟道场效晶体管与多晶电容之间设置有三个P+区域；所述N沟道场效晶体管包括P型衬底与P‑型区域，所述P型衬底上设有P‑型区域，所述N沟道场效晶体管的源电极与漏电极沟道之间设有N阱区域；所述多晶电容包括下极板、上极板以及介质层，所述下极板与上极板之间设置有介质层。
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