[实用新型]一种改进的混合整流二极管结构有效
| 申请号： | 201120167436.1 | 申请日： | 2011-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN202167495U | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 王颖;李婷;曹菲;刘云涛;邵雷 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供的是一种改进的混合整流二极管结构，包括N+衬底区(100)、N型漂移区(101)、有源区结P+部分(102)、第一部分阳极电极(104)、阴极电极(105)、二氧化硅层(106)、第二部分阳极电极(107)；还包括有源区结P部分(103)，所述有源区结P部分(103)包围有源区结P+部分(102)。本实用新型将结终端保护环与二极管有源区同时形成，并且所有区域(102)都在区域(103)中形成，在不牺牲器件正向特性，输出电容的前提下，提高了结势垒肖特基二极管器件的耐压。本实用新型与普通MPS、JBS工艺兼容，具有很强的可实施性，更易满足功率电子系统的应用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改进 混合 整流二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种改进的混合整流二极管结构，包括N+衬底区(100)、N型漂移区(101)、有源区结P+部分(102)、第一部分阳极电极(104)、阴极电极(105)、二氧化硅层(106)、第二部分阳极电极(107)；其特征是：还包括有源区结P部分(103)，所述有源区结P部分(103)包围有源区结P+部分(102)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工程大学，未经哈尔滨工程大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201120167436.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
