[实用新型]一种具有超结结构的半导体器件

摘要

本实用新型涉及一种具有超结结构的半导体器件，其包括位于半导体基板上的元件区域和周边区域，在半导体基板内形成超结结构；所述超结结构存在于元件区域与周边区域；第二导电类型的第二柱沿着电流流通的方向在第一导电类型外延层内延伸；在第二导电类型第二柱的正下方设置有第二导电类型注入区；所述第二导电类型注入区中的第二导电类型杂质浓度不低于第二导电类型第二柱中的第二导电类型杂质浓度；第二导电类型注入区的宽度，即在垂直于电流流通方向上的距离，与第二导电类型注入区上方第二导电类型第二柱的宽度相对应。本实用新型反向耐压特性好，制造工艺简单，制造成本低，适于批量生产，安全可靠。

主权项

一种具有超结结构的半导体器件，在所述半导体器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的元件区域和周边区域，所述元件区域位于半导体基板的中心区，周边区域位于元件区域的外围，并环绕所述元件区域；在所述半导体器件的截面上，在半导体基板的第一导电外延层内包括若干对具有第一导电类型的第一柱和具有第二导电类型的第二柱；所述第一柱与第二柱沿着电流流通的方向在半导体基板的第一导电类型外延层内延伸；在垂直电流流通的方向上，由所述第一柱和第二柱构成的多对PN柱交替连接设置，在半导体基板内形成超结结构；所述超结结构存在于元件区域与周边区域；其特征是：在所述半导体器件的截面上，第二导电类型的第二柱沿着电流流通的方向在第一导电类型外延层内延伸，且第二柱延伸的深度小于第一导电类型外延层的厚度；在所述半导体器件的截面上，在所述第二导电类型第二柱的正下方设置有第二导电类型注入区，所述第二导电类型注入区由第二导电类型注入区周围的第一导电类型外延层及第二导电类型注入区上方的第二导电类型的第二柱包围；所述第二导电类型注入区中的第二导电类型杂质浓度不低于第二导电类型第二柱中的第二导电类型杂质浓度；第二导电类型注入区的宽度，即在垂直于电流流通方向上的距离，与第二导电类型注入区上方第二导电类型第二柱的宽度相对应。