[实用新型]一种直接法硅片镀膜用石墨载板有效
| 申请号： | 201120099125.6 | 申请日： | 2011-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN202076300U | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | 王立建;李潘剑 | 申请（专利权）人： | 无锡市佳诚太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 夏晏平 |
| 地址： | 214200 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种直接法硅片镀膜用石墨载板，包括石墨承载板，在石墨承载板的一面上均布多个硅片承载凹槽，所述凹槽的深度为200-400微米；在石墨承载板上与设置有硅片承载凹槽的面相对的面上设置有导轨；所述导轨设置于紧邻石墨承载板端部位置。本实用新型的直接法硅片镀膜用石墨载板使用时，将硅片放置在凹槽里，在对硅片在进行镀膜时，氮化硅层就不会镀在硅片的边缘，也就不会形成反型层，大大提升了电池的并联电阻，提高电池的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直接 硅片 镀膜 石墨 | ||
【主权项】：
一种直接法硅片镀膜用石墨载板，其特征在于：包括石墨承载板，在石墨承载板的一面上均布多个硅片承载凹槽，所述凹槽的深度为200‑400微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
