[实用新型]一种双模式片内电源电路无效
| 申请号： | 201120028411.3 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN202110461U | 公开（公告）日： | 2012-01-11 |
| 发明（设计）人： | 方健;管超;柏文斌;王泽华;关旭;陈吕赟;吴琼乐 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种双模式片内电源电路。针对现有的线性片内电源电路的纹波小，但输出电压调节范围有限；开关片内电源电路的输出电压调整范围大，但纹波也大，本实用新型的电源电路结合了线性片内电源电路和开关片内电源电路的优点，使得输出电压即纹波小、输出电压调节范围大。本实用新型的电源电路包括片内基准源单元、过压欠压逻辑单元、误差放大器单元、功率输出单元和高压JFET，其特征在于，高压JFET的栅极连接到误差放大器单元的输出端，片内基准源单元的输出端连接到误差放大器单元的一个输入端，功率输出单元的输出端连接到误差放大器单元的另一个输入端。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双模 式片内 电源 电路 | ||
【主权项】：
一种双模式片内电源电路，包括片内基准源单元、过压欠压逻辑单元、误差放大器单元、功率输出单元和高压JFET，外部电源输入到高压JFET的漏极，高压JFET的源极连接到功率输出单元的输入端，片内基准源单元的输出端连接到过压欠压逻辑单元的一个输入端，过压欠压逻辑单元的输出端连接到功率输出单元输入端，功率输出单元的输出端连接到过压欠压逻辑单元的另一个输入端，其特征在于，高压JFET的栅极连接到误差放大器单元的输出端，片内基准源单元的输出端连接到误差放大器单元的一个输入端，功率输出单元的输出端连接到误差放大器单元的另一个输入端。
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