[实用新型]一种双模式片内电源电路

权利要求书

1.一种双模式片内电源电路，包括片内基准源单元、过压欠压逻辑单元、误差放大器单元、功率输出单元和高压JFET，外部电源输入到高压JFET的漏极，高压JFET的源极连接到功率输出单元的输入端，片内基准源单元的输出端连接到过压欠压逻辑单元的一个输入端，过压欠压逻辑单元的输出端连接到功率输出单元输入端，功率输出单元的输出端连接到过压欠压逻辑单元的另一个输入端，其特征在于，高压JFET的栅极连接到误差放大器单元的输出端，片内基准源单元的输出端连接到误差放大器单元的一个输入端，功率输出单元的输出端连接到误差放大器单元的另一个输入端。

2.根据权利要求1所述的双模式片内电源电路，其特征在于，所述片内基准源单元包括：电阻R11、R12、R13、R14、R15，PMOS管MP11、MP12、MP13、MP14，三极管Q11、Q12、Q13、Q14、Q15、Q16、Q17，NMOS管MN11，其中电阻R11的一端连接到片内电源电路输出端，另一端连接到三极管Q11的集电极；三极管Q11的集电极与基极短接，三极管Q11的发射极连接到NMOS管MN11的漏极；MN11的漏极与栅极短接，MN11的源极连接到公共地，PMOS管MP11的源极连接到片内电源电路输出端，PMOS管MP11的栅极连接到三极管Q11的集电极，NMOS管MN11的漏极连接到电阻R15的一端；电阻R15的另一端连接到公共地；MP12的源极连接到电源信号Vout，PMOS管MP12的栅极连接到MP11的漏极，MP12的漏极连接到三极管Q13的集电极；三极管Q13的基极连接到三极管Q14的集电极，三极管Q13的发射极连接到公共地，PMOS管MP14的源极连接到片内电源电路输出端，PMOS管MP14的栅极连接到MP13的栅极，PMOS管MP14的漏极连接到PMOS管MP12的漏极；PMOS管MP13的源极连接到片内电源电路输出端，PMOS管MP13的栅极与漏极短接，PMOS管MP13的漏极连接到三极管Q15的集电极； 三极管Q15的基极连接到PMOS管MP12的漏极，三极管Q15的发射极连接到R12的一端；电阻R12的另一端连接到Q14的集电极；三极管Q14的基极连接到三极管Q17的集电极，Q14的发射极连接到电阻R14的一端；电阻R14的另一端连接到公共地；R13的一端连接到三极管Q15的发射极，电阻R13的另一端连接到三极管Q17的集电极；三极管Q17的集电极与基极短接，三极管Q17的发射极连接到公共地；三极管Q12的集电极连接到片内电源电路输出端，三极管Q12的基极连接到PMOS管MP12的漏极，三极管Q16的集电极连接到Q12的发射极，三极管Q16的基极连接到三极管Q17的基极，三极管Q16的发射极连接到公共地；三极管Q12的发射极即是片内基准源单元的输出端。

3.根据权利要求1所述的双模式片内电源电路，其特征在于，所述过压欠压逻辑单元，包括电阻R21、电阻R22、电阻R23、与非门A1、与非门A2、与非门A3、反相器B1、反相器B2、反相器B3、比较器C1和比较器C2，其中，电阻R21的一端连接到片内电源电路输出端，电阻R21的另一端连接到比较器C2的负输入端；电阻R22一端连接到比较器C2的负输入端，电阻R22的另一端连接到比较器C1的正端；R23一端连接到比较器C1的正端，电阻R23的另一端连接到公共地；比较器C2的正输入端连接到片内基准源单元的输出端，其输出端连接到反相器B1的输入端；其负输入端连接到片内基准源单元的输出端，其输出端连接到反相器B2的输入端；反相器B1的输出端连接到与非门A1的一个输入端；与非门A1的另一个输入端连接到与非门A2的输出端，与非门A1的输出端连接到与非门A2的一个输入端；与非门A2的另一个输入端连接到反相器B2的输出端；与非门A3的一个输入端连接到比较器C2的输出端，与非门A3的另一个输入端连接到与非门A1的输出端， 与非门A3的输出端连接到反相器B3的输入端，反相器B3的输出端即为过压欠压逻辑单元的输出端。

4.根据权利要求1所述的双模式片内电源电路，其特征在于，所述功率输出单元，包括电阻R40、NMOS管MN41、二极管D4、NMOS管MN42和电解电容C40，电阻R40的一端连接到高压JFET的源极，电阻R40的另一端连接到NMOS管MN41的漏极；NMOS管MN41的栅极连接到过压欠压逻辑单元的输出端，NMOS管MN41的源极连接到二极管D4的阳极；二极管D41的阴极连接到公共地，NMOS管MN42的漏极连接到高压JFET的源极，NMOS管MN42的栅极连接到NMOS管MN41的漏极，NMOS管MN42的源极连接到电解电容C40的正极，电解电容C40的负极连接到公共地，电解电容C40的正极即为片内电源电路的输出端。