[实用新型]低反射融雪抗污太阳能晶体硅电池组件构件无效
申请号: | 201120006129.5 | 申请日: | 2011-01-11 |
公开(公告)号: | CN202013894U | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
发明(设计)人: | 金季平 | 申请(专利权)人: | 上海勒卡彭建筑信息咨询有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/024;H05B3/20 |
代理公司: | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人: | 王建国 |
地址: | 201700 上海市青浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种低反射融雪抗污太阳能晶体硅电池组件构件,包含有表面进行过低反射抗污自洁处理的玻璃,上EVA薄膜,晶体硅,下EVA薄膜,背膜,隔热膜以及背板;其在晶体硅和下EVA薄膜之间加入薄膜电伴热以及均热膜;本实用新型在晶体硅和下EVA薄膜之间加入薄膜电伴热,对其通电加热从而达到融雪的效果,相较于现有技术直接对晶体硅通电,有效地保护了晶体硅;且在晶体硅与薄膜电伴热之间加入均热膜,使薄膜电伴热通电后产生的热量均匀地散布于晶体硅表面,进而起到保护晶体硅的作用。 | ||
搜索关键词: | 反射 融雪 太阳能 晶体 电池 组件 构件 | ||
【主权项】:
一种低反射融雪抗污太阳能晶体硅电池组件构件,包含玻璃,上EVA薄膜,晶体硅,下EVA薄膜,背膜,隔热膜以及背板;其特征在于,在晶体硅和下EVA薄膜之间加入薄膜电伴热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的