[发明专利]一种光波导开关有效
| 申请号： | 201110461701.1 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102566090A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李冰 | 申请（专利权）人： | 李冰 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025;G02F1/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200433 上海市杨*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高消光比的光波导开关。本发明公开的光波导开关采用了非对称的基于半导体的波导MZI结构，在一个实施例中，MZI的两条臂上采用了不同的波导电容器结构：一条臂采用的波导电容器中，被存储的载流子迁移率低，主要实现振幅调制；另一条臂采用的波导电容器中，被存储的载流子迁移率高，主要实现相位调制。采用本发明公开的光波导开关结构，可以实现几乎无限大的消光比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波导 开关 | ||
【主权项】：
一种光波导开关，其特征在于，所述光波导开关包括一个基于半导体的波导MZI结构，其中，所述MZI结构包括第一波导臂，第二波导臂，两个输入端口和两个输出端口；所述MZI结构的第一波导臂包括一个相位调制部分，所述相位部分包括一段波导电容器；所述MZI结构的第二波导臂包括一个由一段不同结构的波导电容器构成的振幅调制部分；所述振幅调制部分中的波导电容器的存储电荷区域的载流子迁移率低于所述相位调制部分中的波导电容器的存储电荷区域的载流子迁移率。
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