[发明专利]一种光波导开关

权利要求书

1.一种光波导开关，其特征在于，

所述光波导开关包括一个基于半导体的波导MZI结构，其中，所述MZI结构包括第一波导臂，第二波导臂，两个输入端口和两个输出端口；

所述MZI结构的第一波导臂包括一个相位调制部分，所述相位部分包括一段波导电容器；

所述MZI结构的第二波导臂包括一个由一段不同结构的波导电容器构成的振幅调制部分；

所述振幅调制部分中的波导电容器的存储电荷区域的载流子迁移率低于所述相位调制部分中的波导电容器的存储电荷区域的载流子迁移率。

2.根据权利要求1所述的一种光波导开关，其特征在于，所述振幅调制部分中的波导电容器的存储电荷区域的背景离子浓度高于所述相位调制部分中的波导电容器的存储电荷区域的背景离子浓度。

3.权利要求1所述的一种光波导开关，其特征在于，

仅在第一波导臂上有所述相位调制部分；

仅在第二波导臂上有所述振幅调制部分；

所述有相位调制部分的第一波导臂被称为相位调制臂；

所述有振幅调制部分的第二波导臂被称为振幅调制臂。

4.根据权利要求1或3所述的一种光波导开关，其特征在于，所述相位调制部分的波导电容器是一种PIN结型波导电容器，所述振幅调制部分的波导电容器是一种PN结型波导电容器。

5.根据权利要求1或3所述的一种光波导开关，其特征在于，所述波导电容器是一种脊加载型波导电容器，所述脊加载型波导电容器包括一层加载在一个SOI脊波导上方的半导体薄膜，和一层位于所述半导体薄膜和所述脊波导之间的绝缘薄膜层。

6.一种光波导开关，其特征在于，

所述光波导开关包括一个基于半导体的波导MZI结构，其中，所述MZI结构包括第一波导臂，第二波导臂，两个输入端口和两个输出端口；

所述MZI结构的第一波导臂和第二波导臂均包括一个相位调制部分和一个振幅调制部分；

所述相位调制部分包括一段波导电容器；

所述振幅调制部分包括一段不同结构的波导电容器；

所述振幅调制部分中的波导电容器的存储电荷区域的载流子迁移率低于所述相位调制部分中的波导电容器的存储电荷区域的载流子迁移率。

7.根据权利要求6所述的一种光波导开关，其特征在于，所述振幅调制部分中的波导电容器的存储电荷区域的背景离子浓度高于所述相位调制部分中的波导电容器的存储电荷区域的背景离子浓度。

8.根据权利要求6所述的一种光波导开关，其特征在于，所述相位调制部分的波导电容器是一种PIN结型波导电容器，所述振幅调制部分的波导电容器是一种PN结型波导电容器。

9.根据权利要求6所述的一种光波导开关，其特征在于，所述波导电容器是一种脊加载型波导电容器，所述脊加载型波导电容器包括一层加载在一个SOI脊波导上方的半导体薄膜，和一层位于所述半导体薄膜和所述脊波导之间的绝缘薄膜层。