[发明专利]自关断可控硅等效电路无效
| 申请号： | 201110460626.7 | 申请日： | 2011-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN102522972A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 林计平 | 申请（专利权）人： | 北京雪迪龙科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/72 | 分类号： | H03K17/72 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 102206 北京市昌*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供自关断可控硅等效电路，其包括晶体管或复合管或DMOS管Q1、晶体管或复合管或DMOS管Q2、箝位限流保护电路以及开关管Q3，其中：所述晶体管或复合管或DMOS管Q1的发射极作为阳极A，基极与箝位限流保护电路的一端相连接；所述箝位限流保护电路的另一端与所述阳极A相连接；所述开关管Q3的基极作为控制极G，集电极与所述晶体管或复合管或DMOS管Q1的集电极相连接，发射极与所述晶体管或复合管或DMOS管Q2的基极相连接；所述晶体管或复合管或DMOS管Q2的集电极与所述晶体管或复合管或DMOS管Q1的基极相连接，发射极作为阴极K。本发明所提供的自关断可控硅等效电路可实现电流驱动，只要有无电流就可轻易实现开断，方便进行低压电流的自动化控制，解决了现有技术中在关断时需要反向脉冲，不易关断的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 可控硅 等效电路 | ||
【主权项】：
一种自关断可控硅等效电路，其特征在于，包括晶体管或复合管或DMOS管Q1、晶体管或复合管或DMOS管Q2、箝位限流保护电路以及开关管Q3，其中：所述晶体管或复合管或DMOS管Q1的发射极作为阳极A，基极与箝位限流保护电路的一端相连接；所述箝位限流保护电路的另一端与所述阳极A相连接；所述开关管Q3的基极作为控制极G，集电极与所述晶体管或复合管或DMOS管Q1的集电极相连接，发射极与所述晶体管或复合管或DMOS管Q2的基极相连接；所述晶体管或复合管或DMOS管Q2的集电极与所述晶体管或复合管或DMOS管Q1的基极相连接，发射极作为阴极K。
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