[发明专利]一种减少太阳能电池死层的方法有效
申请号: | 201110460084.3 | 申请日: | 2011-12-31 |
公开(公告)号: | CN103367521A | 公开(公告)日: | 2013-10-23 |
发明(设计)人: | 王英超;李高非;崔景光 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种减少太阳能电池死层的方法,包括步骤:1)进舟;2)升温;3)前净化;4)沉积;5)后净化;6)降温;7)出舟;还包括在步骤4)和步骤5)之间的步骤41)后氧化,以预设流量在预设温度下通预设时间的氧气或在进行步骤5)时进行后氧化。本发明在沉积之后后净化之前或后净化过程中增加了后氧化处理,通入一定量的氧气,在前净化处理中形成的氧化膜与PN结之间形成了另一层氧化膜,在形成好的P/N结后增加了氧化膜的厚度,在磷原子透过氧化膜向硅片扩散时与氧发生反应,使得PN结表面磷的浓度进一步降低,有效减少了死层,同时氧化膜经过化学处理后去除掉,使PN结的深度变浅,有效提高了电池的光谱响应。 | ||
搜索关键词: | 一种 减少 太阳能电池 方法 | ||
【主权项】:
一种减少太阳能电池死层的方法,包括步骤:1)进舟,将装满硅片的石英舟放进扩散炉指定位置;2)升温,使硅片从初始温度加热到扩散温度;3)前净化,向扩散炉内通入氮气和氧气;4)沉积,在硅片表面形成PN结;5)后净化,向扩散炉内通入氮气;6)降温,扩散结束后将硅片的温度降到初始温度;7)出舟,将石英舟从扩散炉中取出;其特征在于,还包括在步骤4)和步骤5)之间或步骤5)同时进行的步骤41)后氧化,以预设流量在预设温度下通预设时间的氧气。
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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