[发明专利]具有高红外光吸收率的薄膜太阳能电池及其制程方法无效
| 申请号： | 201110456312.X | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103187472A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 李炳寰;陈玟帆 | 申请（专利权）人： | 亚树科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/077 | 分类号： | H01L31/077;H01L31/0224;H01L31/0376;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健;王俊民 |
| 地址： | 中国台湾台南市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种具有高红外光吸收率的薄膜太阳能电池及其制程方法。该薄膜太阳能电池主要包含：一基板、一第一透明导电层、一P型半导体层、一本质(i)型半导体层、一N型半导体层、一第二透明导电层以及一背电极。藉由使用氧化铟钼材料的透明导电层，该薄膜太阳能电池可有效地吸收红外光并提升光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 红外光 吸收率 薄膜 太阳能电池 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种可提高红外光吸收率的薄膜太阳能电池，其特征在于，包含：一基板；一第一透明导电层，形成于该基板上，用于取出电能；一P型半导体层，形成于该第一透明导电层上，用于产生电洞；一本质(i)型半导体层，形成于该P型半导体层上，用于提高可见光谱光子的吸收范围；一N型半导体层，形成于该本质(i)半导体层上，用于产生电子；一第二透明导电层，形成于该N型半导体层上；以及一背电极，形成于该第二透明导电层上，用于取出电能；其中，该第一透明导电层为氧化铟(In2O3)与氧化钼(MoO3)所组成的一氧化铟钼(Indium molybdenum oxides，IMO)化合物，用以提高红外光的吸收率，且该氧化铟钼化合物的氧化铟(In2O3)与氧化钼(MoO3)的重量百分比为99∶1至80∶20之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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