[发明专利]用于刻蚀微波介质薄膜的刻蚀液及制备方法有效
| 申请号： | 201110455998.0 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN102559192A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 杨传仁;张巧真;张继华;陈宏伟;赵强 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C09K13/10 | 分类号： | C09K13/10 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 用于刻蚀微波介质薄膜的刻蚀液及制备方法，涉及微电子技术领域。本发明的刻蚀液以质量比计算，其组分为：HBF4∶HNO3∶H2O＝1∶x∶5，其中0.5≤x≤3；其中，HBF4的浓度为3.2％～9.6％，HNO3的浓度为65％～68％。本发明的有益效果是，采用本发明刻蚀的含稀土氧化物微波介质薄膜，边缘清晰，侧蚀比小。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 刻蚀 微波 介质 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
用于刻蚀微波介质薄膜的刻蚀液，其特征在于，以质量比计算，其组分为：HBF4∶HNO3∶H2O＝1∶x∶5，其中0.5≤x≤3；其中，HBF4的浓度为3.2％～9.6％，HNO3的浓度为65％～68％。
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