[发明专利]用于刻蚀微波介质薄膜的刻蚀液及制备方法

权利要求书

1.用于刻蚀微波介质薄膜的刻蚀液，其特征在于，以质量比计算，其组分为：

HBF₄∶HNO₃∶H₂O＝1∶x∶5，其中0.5≤x≤3；

其中，HBF₄的浓度为3.2％～9.6％，HNO₃的浓度为65％～68％。

2.如权利要求1所述的用于刻蚀微波介质薄膜刻蚀液的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

步骤一配制质量比为5％～20％的氢氟酸溶液HF∶H₂O＝1∶a；

步骤二配制质量比为5.43％～12.96％的H₃BO₃溶液，H₃BO₃∶H₂O＝3∶b；

步骤三将步骤一、步骤二中所配置HF溶液和H₃BO₃溶液按质量比1∶c的比例混合，搅拌均匀，充分冷却后，密封放置，得到浓度为3.2％～9.6％的氟硼酸溶液；

步骤四向步骤三配制好的氟硼酸溶液中加入一定量的HNO₃并搅拌均匀，得到薄膜刻蚀液，组分为(质量比)：HBF₄∶HNO₃∶H₂O＝1∶x∶5，其中0.5≤x≤3；

前述a、b、c的范围为：1≤a≤7，20≤b≤52.2，1.2≤c≤2.8。