[发明专利]形成TFT阵列基板的方法有效
| 申请号： | 201110453581.0 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN103187366A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 陈浩;马骏;柴慧平 | 申请（专利权）人： | 上海天马微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;G03F7/20;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201201 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种形成TFT阵列基板的方法，包括：提供基板，在所述基板上形成TFT开关、数据线、扫描线、公共电极和钝化层；在所述钝化层上形成有机膜层；利用具有通孔定位孔图形和凹槽图形的掩膜版对所述有机膜层进行曝光和显影，形成通孔定位孔和多个凹槽；刻蚀所述通孔定位孔底部的有机膜层和钝化层形成通孔，所述通孔暴露出TFT开关的漏极；依次形成像素电极和反射电极，覆盖所述图形化后的有机膜层、凹槽的侧壁和底部、通孔的侧壁和底部。本技术方案可以提高产率，节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 tft 阵列 方法 | ||
【主权项】：
一种形成TFT阵列基板的方法，其特征在于，包括：步骤1：提供基板，在所述基板上形成TFT开关、数据线、扫描线、公共电极和钝化层；步骤2：在所述钝化层上形成有机膜层；步骤3：利用具有通孔定位孔图形和凹槽图形的掩膜版对所述有机膜层进行曝光和显影，形成通孔定位孔和多个凹槽；步骤4：刻蚀所述通孔定位孔底部的有机膜层和钝化层形成通孔，所述通孔暴露出TFT开关的漏极；步骤5：依次形成像素电极和反射电极，覆盖所述图形化后的有机膜层、凹槽的侧壁和底部、通孔的侧壁和底部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
