[发明专利]提高闪存寿命的可靠性存储方法有效
申请号: | 201110452498.1 | 申请日: | 2011-12-29 |
公开(公告)号: | CN102567216A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 李超;楼宇伟;姜宏飞 | 申请(专利权)人: | 北京交控科技有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100070 北京市丰台区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及闪存技术领域,特别涉及一种提高闪存寿命的可靠性存储方法。该方法包括步骤:S1,每次上电后,进行NVRAM临时页的检查,判断4个临时页是否有至少两页内容相同,若没有,则将临时页擦除执行步骤S4;若有则执行步骤S2;S2,判断4个临时页是否两两相同,若是则使用第一临时页将序号靠后的临时页恢复后,执行步骤S3;否则使用多数页将少数页恢复后,执行步骤S3;S3,使用临时页中内容将闪存当前记录页内容恢复;S4,正常进行闪存数据读写。本发明中,充分利用了NVRAM的写入时间快的优势,使用NVRAM临时页作为数据写入的缓冲和冗余,保证了闪存数据完整性并提高了闪存寿命。 | ||
搜索关键词: | 提高 闪存 寿命 可靠性 存储 方法 | ||
【主权项】:
一种提高闪存寿命的可靠性存储方法,其特征在于,所述方法包括步骤:S1,每次上电后,进行NVRAM临时页的检查,判断4个临时页的内容是否有至少两页相同,若没有,则认为数据无法恢复,将临时页擦除,执行步骤S4;若有则执行步骤S2;S2,判断4个临时页中内容是两两相同还是多数页相同,若是两两相同,则使用第一临时页中内容将序号靠后的页中内容恢复后,执行步骤S3;若是多数页相同,则使用多数页中内容将少数页中内容恢复后,执行步骤S3;S3,使用临时页中内容将闪存当前记录页内容恢复;S4,正常进行闪存数据读写。
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