[发明专利]提高闪存寿命的可靠性存储方法有效

专利信息
申请号: 201110452498.1 申请日: 2011-12-29
公开(公告)号: CN102567216A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 李超;楼宇伟;姜宏飞 申请(专利权)人: 北京交控科技有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 王莹
地址: 100070 北京市丰台区*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及闪存技术领域,特别涉及一种提高闪存寿命的可靠性存储方法。该方法包括步骤:S1,每次上电后,进行NVRAM临时页的检查,判断4个临时页是否有至少两页内容相同,若没有,则将临时页擦除执行步骤S4;若有则执行步骤S2;S2,判断4个临时页是否两两相同,若是则使用第一临时页将序号靠后的临时页恢复后,执行步骤S3;否则使用多数页将少数页恢复后,执行步骤S3;S3,使用临时页中内容将闪存当前记录页内容恢复;S4,正常进行闪存数据读写。本发明中,充分利用了NVRAM的写入时间快的优势,使用NVRAM临时页作为数据写入的缓冲和冗余,保证了闪存数据完整性并提高了闪存寿命。
搜索关键词: 提高 闪存 寿命 可靠性 存储 方法
【主权项】:
一种提高闪存寿命的可靠性存储方法,其特征在于,所述方法包括步骤:S1,每次上电后,进行NVRAM临时页的检查,判断4个临时页的内容是否有至少两页相同,若没有,则认为数据无法恢复,将临时页擦除,执行步骤S4;若有则执行步骤S2;S2,判断4个临时页中内容是两两相同还是多数页相同,若是两两相同,则使用第一临时页中内容将序号靠后的页中内容恢复后,执行步骤S3;若是多数页相同,则使用多数页中内容将少数页中内容恢复后,执行步骤S3;S3,使用临时页中内容将闪存当前记录页内容恢复;S4,正常进行闪存数据读写。
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