[发明专利]提高闪存寿命的可靠性存储方法有效
| 申请号： | 201110452498.1 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102567216A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 李超;楼宇伟;姜宏飞 | 申请（专利权）人： | 北京交控科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100070 北京市丰台区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 闪存 寿命 可靠性 存储 方法 | ||
1.一种提高闪存寿命的可靠性存储方法，其特征在于，所述方法包括步骤：
S1，每次上电后，进行NVRAM临时页的检查，判断4个临时页的内容是否有至少两页相同，若没有，则认为数据无法恢复，将临时页擦除，执行步骤S4；若有则执行步骤S2；
S2，判断4个临时页中内容是两两相同还是多数页相同，若是两两相同，则使用第一临时页中内容将序号靠后的页中内容恢复后，执行步骤S3；若是多数页相同，则使用多数页中内容将少数页中内容恢复后，执行步骤S3；
S3，使用临时页中内容将闪存当前记录页内容恢复；
S4，正常进行闪存数据读写。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，每个临时页的字节数与闪存文件系统划分的每页字节数相同。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S4中，在闪存读写过程中，每次有数据需要记录时，首先将数据按临时页的编号顺序顺次写入NVRAM的各临时页中。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，当临时页数据写满一页后，再将这一页数据写入闪存的当前记录页中。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，数据写入闪存时，按闪存文件系统划分的页编号顺序写入。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在临时页中维持有闪存的页索引，根据所述页索引确定所述闪存的当前记录页。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述NVRAM与闪存FLASH集成在同一存储系统中。
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