[发明专利]一种纳米碳化硅材料的电化学制备方法有效

专利信息
申请号: 201110452387.0 申请日: 2011-12-29
公开(公告)号: CN103184465A 公开(公告)日: 2013-07-03
发明(设计)人: 卢世刚;赵春荣;杨娟玉;闫坤;余章龙 申请(专利权)人: 北京有色金属研究总院
主分类号: C25B1/00 分类号: C25B1/00
代理公司: 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人: 程凤儒
地址: 100088 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种制备碳化硅纳米线、颗粒的电化学方法。其特性是:以硅氧化物SiOX(0<X≤2)和碳的前躯体复合多孔材料为阴极,设置阳极,置于包含金属化合物熔盐的电解质中,在阴极和阳极之间施加电压,控制反应条件,在阴极制的碳化硅纳米线、颗粒。其优点为无污染、原料易得、设备便宜、易于连续生产、同时降低了碳化硅的制备温度,为碳化硅的生产探索了一条新途径。
搜索关键词: 一种 纳米 碳化硅 材料 电化学 制备 方法
【主权项】:
一种纳米碳化硅材料的电化学制备方法,其特征是:以硅氧化物/碳复合多孔块体材料与导电的阴极集流体复合作为阴极,设置阳极,置于包含金属化合物熔盐的电解质中,在阴极和阳极之间施加电压,控制电解时间,在阴极制得SiC的纳米线、SiC的纳米颗粒中的一种或几种的电解产物;其中,所述硅氧化物/碳复合多孔块体材料由硅氧化物粉末与碳的前躯体混合,再热压、模压或模灌成型成多孔块体材料,再进行烧结成硅氧化物/碳复合多孔块体材料;硅氧化物/碳复合多孔块体材料中硅原子与碳原子的摩尔比为0.01~5;所述的硅氧化物为SiOX,0<X≤2。
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