[发明专利]一种采用硅烷掩膜制备太阳能电池金属电极的方法有效
| 申请号： | 201110450393.2 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102569506A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 夏建汉;班群;康凯;陈刚 | 申请（专利权）人： | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人： | 李海波 |
| 地址： | 528137 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用硅烷掩膜制备太阳能电池金属电极的方法，含以下工序：选取晶体硅片，进行有机硅烷吸附在晶体硅片表面形成硅烷薄膜，接着采用激光局部烧蚀并去除晶体硅片表面的硅烷薄膜，并在激光烧蚀后的区域进行金属电极沉积，最后除去非电极部位的硅烷薄膜，制备获得太阳能电池的金属电极。该方法成本低，工艺简单，易于工业推广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 硅烷 制备 太阳能电池 金属电极 方法 | ||
【主权项】：
一种采用硅烷掩膜制备太阳能电池金属电极的方法，其特征是含以下工序：选取晶体硅片，进行有机硅烷吸附在晶体硅片表面形成硅烷薄膜，接着采用激光局部烧蚀并去除晶体硅片表面的硅烷薄膜，并在激光烧蚀后的区域进行金属电极沉积，最后除去非电极部位的硅烷薄膜，制备获得太阳能电池的金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
