[发明专利]包括写辅助电路的SRAM和操作该SRAM的方法有效
| 申请号： | 201110449300.4 | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102543166A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 崔在承 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李佳;穆德骏 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种包括写辅助电路的SRAM和操作该SRAM的方法。描述了一种静态随机存取存储器(SRAM)，所述SRAM包括位单元，所述位单元与字线相连接、连接在位线和互补位线之间并接收来自写辅助电路的内部电压。所述写辅助电路包括功率控制电路和补偿电路，所述功率控制电路响应于至少一个控制信号来对内部电压线进行充电/放电以提供所述内部电压，所述补偿电路控制所述内部电压的电平。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 辅助 电路 sram 操作 方法 | ||
【主权项】：
一种静态随机存取存储器SRAM设备，包括：与字线相连接的位单元，所述位单元连接在位线和互补位线之间并接收来自写辅助电路的内部电压，其中，所述写辅助电路包括：功率控制电路和补偿电路，所述功率控制电路响应于至少一个控制信号而对内部电压线进行充电/放电以提供所述内部电压，所述补偿电路控制所述内部电压的电平。
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