[发明专利]一种晶硅太阳能电池三层减反射膜及其制备工艺无效
| 申请号： | 201110448161.3 | 申请日： | 2011-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN102496634A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 杨云霞;凌婧;袁双龙;陈国荣 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200237 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 为了提高晶硅太阳电池的光电转换效率，必须制备减反射膜。本发明提供了一种使用纳米TiO2和SiO2水溶胶制备三层减反射膜的技术，该三层减反射膜由TiO2/TiO2-SiO2/SiO2构成，分别使用酸性纳米TiO2水溶胶、碱性纳米TiO2-SiO2混合水溶胶及碱性纳米SiO2水溶胶涂覆于晶硅太阳能电池片上，涂覆厚度分别为60～130nm、70～150nm和80～170nm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 三层 减反射膜 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种晶硅太阳能电池三层减反射膜，其特征在于：减反射膜由酸性纳米TiO2水溶胶、碱性纳米TiO2水溶胶和碱性纳米SiO2水溶胶的混和溶胶及碱性纳米SiO2水溶胶按TiO2、TiO2/SiO2和SiO2顺序涂覆成三层薄膜构成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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