[发明专利]一种晶圆良率分析方法有效
| 申请号： | 201110447556.1 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN103187329A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 陈灵 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮;李辰 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种晶圆良率分析方法，用于统计一包括多个晶格的晶圆上，合格晶粒所占的比重。通过对缺陷种类和对应的致命率建立数据库，并记录于可以进行统计的纯文本文件中，然后与设置于每个关键层次工艺之后的检测基站捞取的缺陷数量数据，进行耦合得出每种缺陷的损失率，从而获得晶圆的良率值。在整个过程中，由于不需要人员参与数据的输入和计算，大大提高了分析效率，且保证了分析结果的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆良率 分析 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆良率分析方法，用于统计一包括多个晶格的晶圆上，合格晶粒所占的比重，其特征在于包括步骤：建立一工艺缺陷种类和致死率的数据库，记录于一纯文本文件中；调取各个测试基站中获得的缺陷数量，判断并统计各种工艺缺陷的种类和对应的数量；将上述统计得到的各种工艺缺陷的数量导入到所述纯文本文件中，得到各种工艺缺陷的数量和致死率数据表格；耦合上述各种工艺缺陷的数量和致死率，得到每种工艺缺陷引起的损失率；将上述各个工艺缺陷引起的损失率求和，并换算成晶圆的总良率，该总良率即为晶圆良率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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