[发明专利]一种薄膜晶体管基板及其制造方法和液晶显示装置有效
申请号: | 201110433181.3 | 申请日: | 2011-12-21 |
公开(公告)号: | CN102543892A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 王俊 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12;G02F1/1368;G02F1/1335 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦;丁建春 |
地址: | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种薄膜晶体管基板及其制造方法和液晶显示装置。该方法包括:依序在基体上沉积介电层、第一金属层以及第一半导体层;利用半曝光技术在形成第一光阻层;移除未被遮盖的介电层、第一金属层以及第一半导体层,并且使部分介电层的表面曝露;移除第一光阻层,并且依序在基体上覆盖第二半导体层、第一保护层、第二金属层;形成第二光阻层;移除掉基体上未被第二光阻层遮盖区域的所有层体;移除第二光阻层,并在基体上覆盖第二保护层。本发明只采用半曝光和普通光罩两道光罩制程,减少了光罩制程的数目,从而大大简化了薄膜晶体管基板的制程。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 及其 制造 方法 液晶 显示装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管基板的制造方法,其特征在于,包括:依序在基体上沉积介电层、第一金属层以及第一半导体层;利用半曝光技术在所述第一半导体层上形成厚薄不一的第一光阻层;移除未被所述第一光阻层遮盖的介电层、第一金属层以及第一半导体层,并且使对应所述第一光阻层较薄区域的介电层的表面曝露。移除所述第一光阻层,并且依序在所述基体上覆盖第二半导体层、第一保护层、第二金属层,所述第二金属层用于形成薄膜晶体管和栅极线;在所述第二金属层上对应所述薄膜晶体管和栅极线的位置形成第二光阻层;除一侧介电层外,移除掉所述基体上未被第二光阻层遮盖的所有层体;移除所述第二光阻层,并在所述基体上覆盖第二保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造