[发明专利]一种非挥发性存储器低压快速窄注入编程方法无效
| 申请号： | 201110428732.7 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102411991A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 闫锋;吴春波;徐跃;纪晓丽 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 非挥发性存储器低压快速窄注入编程方法，编程步骤分为两阶段，在第一段中，衬底、源极以及栅极都是接地，漏极Vd2接较小的负偏压-1~-2V，脉冲持续时间为T1（100ns~1μs）；在第二阶段中，在栅极加上电压Vg3（4.2~5V），漏极加上电压Vd3(2.7~4.5V)，源极接地，衬底接电压Vb3（0.5~1.5V），脉冲时间为T2<5μs；在第二阶段编程过程中衬底加正偏电压Vb3，是为了抑制空穴在向衬底运动中产生的二次电离，减小电子注入到电荷存储层的范围。本发明保证较低的编程电压下，在存储单元中获得较窄的注入范围，减少俘获型单元存储器件中多位存储时不同位之间的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 挥发性 存储器 低压 快速 注入 编程 方法 | ||
【主权项】：
非挥发性存储器低压快速窄注入编程方法，其特征是编程步骤分为两阶段，在第一段中，衬底0、源极1以及栅极3都是接地，漏极Vd2接较小的负偏压‑1~‑2V，脉冲持续时间为T1为100ns~1μs；在第二阶段中，在栅极加上电压Vg3 4.2~5V，漏极加上电压Vd3 2.7~4.5V，源极接地，衬底接电压Vb3 0.5~1.5V，脉冲时间为T2 <5μs；在第二阶段编程过程中衬底加正偏电压Vb3，是为了抑制空穴在向衬底运动中产生的二次电离，减小电子注入到电荷存储层的范围。
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