[发明专利]一种用HF和冰乙酸配制的腐蚀液去除晶圆边缘氧化膜的方法无效
| 申请号： | 201110420551.X | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102446736A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 刘建伟;刘振福;董建斌;张俊生 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 莫琪 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用HF和冰乙酸配制的腐蚀液去除晶圆边缘氧化膜的方法，包括如下步骤：A、配制冰乙酸和HF的混合溶液，将其倒入滚轮式去边机的酸槽内；冰乙酸为98%，AR级；HF为40%-49%，AR级；配比为数据为，冰乙酸：HF=1:1至15:1；B、将装有晶圆硅片的片架装入滚轮式去边机，转动转轮，使转轮上布袋浸有的氢氟酸与硅片氧化膜边缘反应；C、取出片架，清洗，检验边缘去除效果，应用本发明的腐蚀液后的滚轮式去边技术，可以用于大规模集成电路及分立器件所用的抛光片的制备。该方法成本低，生产效率高，实用性强，是一种适用于大规模工业生产的去除背面边缘SiO2膜的技术。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 hf 冰乙酸 配制 腐蚀 去除 边缘 氧化 方法 | ||
【主权项】：
一种用HF和冰乙酸配制的腐蚀液去除晶圆边缘氧化膜的方法，其特征在于，用HF与冰乙酸混合配置腐蚀液替代传统的HF与水混合的腐蚀液进行晶圆边缘氧化膜去除处理，包括如下步骤： A 、配制冰乙酸和HF的混合溶液，将其倒入滚轮式去边机的酸槽内；冰乙酸为98%，AR级； HF为40%‑49%，AR级；配比为数据为，冰乙酸：HF=1:1至15:1；B 、将装有晶圆硅片的片架装入滚轮式去边机，转动转轮，使转轮上布袋浸有的氢氟酸与硅片氧化膜边缘发生反应； C 、取出片架，清洗，检验边缘去除效果。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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