[发明专利]一种可获得三基色光的发光二极管结构

摘要

一种可获得三基色光的发光二极管结构，涉及光电技术领域。本发明包括位于底部的蓝宝石衬底、形成于蓝宝石衬底上的金属氮化物缓冲层和置于顶部的P型半导体层。其结构特点是，所述金属氮化物缓冲层上依次置有异变InGaN缓冲层和InGaN有源层。异变InGaN缓冲层中的In组分含量随着材料外延生长参数的改变呈线性增加，InGaN缓冲层的厚度范围为0.1～100μm，In组分含量从0线性增加至x，组分x的取值范围为0＜x＜1。同现有技术相比，本发明通过组分渐变结构的异变InGaN缓冲层，改善发光半导体装置有源层的结晶质量，获得整个可见光波段的出射光。

主权项

一种可获得三基色光的发光二极管结构，它包括位于底部的蓝宝石衬底（200）、形成于蓝宝石衬底（200）上的金属氮化物缓冲层（210）和置于顶部的P型半导体层（240），其特征在于，所述金属氮化物缓冲层（210）上依次置有异变InGaN缓冲层（221）和InGaN有源层（230），异变InGaN缓冲层（221）中的In组分含量随着材料外延生长参数的改变呈线性增加，InGaN缓冲层（221）的厚度范围为0.1～100μm，In组分含量从0线性增加至x，组分x的取值范围为0＜x＜1。