[发明专利]一种选择性发射结晶体硅太阳能电池的制备方法无效
| 申请号： | 201110418857.1 | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102544198A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 孙良欣;张赏;郭育林 | 申请（专利权）人： | 青岛吉阳新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人： | 毛燕生 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市即墨市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种选择性发射结晶体硅太阳能电池的制备方法，包括单步高浓度掺杂扩散，然后采用印刷工艺在电极区域印刷抗腐蚀浆料，非电极区域经过化学腐蚀实现轻掺杂的发射结，再除去抗腐蚀阻挡层，最后采用常规太阳能制备方法制得选择性发射结晶体硅太阳能电池。本发明方法采用单步高温扩散、丝网印刷掩膜电极、化学腐蚀，相对于两步高温扩散、激光掺杂等选择性发射结太阳能电池制作方法，该工艺步骤简单、设备投入小，且易于添加到现有生产线中，实现大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 发射 结晶体 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种选择性发射结晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征是：单步高浓度掺杂扩散，然后采用印刷工艺在电极区域印刷抗腐蚀浆料，非电极区域经过化学腐蚀实现轻掺杂的发射结，再除去抗腐蚀阻挡层，最后采用常规太阳能制备方法制得选择性发射结晶体硅太阳能电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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