[发明专利]发光元件无效
申请号: | 201110418590.6 | 申请日: | 2011-12-14 |
公开(公告)号: | CN102569332A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 海野恒弘 | 申请(专利权)人: | 日立电线株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;於毓桢 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种发光元件,其包括支撑衬底(20),设置在支撑衬底(20)上的第一导电型的第一导电型层,设置在第一导电型层上的发射光的活性层(16),设置在活性层(16)上的与第一导电型不同的第二导电型的第二导电型层,与第一导电型层的部分表面接触的第一电极,以及与第二导电型层的部分表面接触的第二电极。第一电极与第一导电型层的表面接触,该表面不同于位于活性层(16)的正上方或正下方的区域所对应的第一导电型层的表面,第二电极与第二导电型层的表面接触,该表面不同于位于活性层(16)的正上方或正下方的区域所对应的第二导电型层的表面。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
【主权项】:
一种发光元件,具有:支撑衬底,设置在所述支撑衬底上的第一导电型的第一导电型层,设置在所述第一导电型层上的发射光的活性层,设置在所述活性层上的第二导电型的第二导电型层,所述第二导电型与所述第一导电型不同,与所述第一导电型层的部分表面接触的第一电极,以及与所述第二导电型层的部分表面接触的第二电极;其中,所述第一电极与所述第一导电型层接触的表面与位于所述活性层的正上方或正下方的区域所对应的所述第一导电型层的表面不同,所述第二电极与所述第二导电型层接触的表面与位于所述活性层的正上方或正下方的区域所对应的所述第二导电型层的表面不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的