[发明专利]用于产生图像传感器中的光电检测器隔离的方法

摘要

本发明涉及一种用于产生图像传感器中的光电二极管隔离的方法。在n型硅半导体层中横向邻近于光电检测器的收集区且横向邻近于电荷/电压转换区安置浅沟槽隔离区。所述浅沟槽隔离区各自包含安置在所述硅半导体层中的沟槽及沿着每一沟槽的内部底部及侧壁安置的第一电介质结构。在钉扎层上方安置第二电介质结构。所述电介质结构包含安置在氧化物层上方的氮化硅层。仅沿着所述沟槽的外部底部的一部分及所述沟槽的紧邻近于所述光电检测器的外部侧壁安置n型隔离层。不沿着所述底部的其余部分或所述沟槽的相对外部侧壁安置所述n型隔离层。

主权项

一种用于在具有n导电类型的硅半导体层中紧邻近于光电检测器产生浅沟槽隔离区的方法，其中所述光电检测器包含安置于所述硅半导体层中的具有p导电类型的存储区，所述方法包括：在所述硅半导体层中形成沟槽；沿着所述沟槽的内部底部及内部侧壁形成衬里氧化物层；在所述衬里氧化物层上方形成氮化硅层；用电介质材料填充所述沟槽；及仅部分地沿着所述沟槽的底部且仅沿着所述沟槽的紧邻近于随后将形成所述光电检测器的所述存储区的侧壁将具有所述n导电类型的掺杂剂植入到所述硅半导体层中。