[发明专利]一种C/SiC-ZrB2-ZrC超高温陶瓷基复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 201110411123.0 | 申请日： | 2011-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102515870A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 王一光;皮慧龙;范尚武;成来飞;张立同 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C04B41/87 | 分类号： | C04B41/87;C04B35/80;C04B35/84 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种C/SiC-ZrB2-ZrC超高温陶瓷基复合材料的制备方法，通过真空压力浸渍法将B4C和C有机先驱体引入C/SiC复合材料中，固化后在热处理将C有机前驱体裂解并打开材料中被其封闭气孔。然后通过反应熔体渗透法在温度高于硅锆合金条件下利用硅锆合金与B4C、C反应原位生成SiC、ZrB2、ZrC，制备C/SiC-ZrB2-ZrC复合材料。本发明利用真空压力浸渍法在C/SiC复合材料中引入B4C和C有机先驱体，利用反应熔体渗透法使硅锆合金与B4C、C反应原位生成SiC、ZrB2、ZrC，生成的ZrB2、ZrC晶粒细小、体积含量高，有效的提高了抗烧蚀性能和力学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic zrb sub zrc 超高温 陶瓷 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种C/SiC‑ZrB2‑ZrC超高温陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于步骤如下：步骤1：复合材料预制体制备：将开气孔率为20vol％～30vol％的C/SiC复合材料预制体用超声波清洗至少30分钟，烘箱中80℃～100℃烘干得到C/SiC预制体；浆料制备：将C有机前驱体、六次甲基四胺溶解在无水酒精中，然后加入B4C粉并球磨24小时以上得到浆料a；C有机前驱体和B4C粉质量比为1～2，六次甲基四胺质量为C有机前驱体质量的0.1倍；通过无水酒精的含量控制浆料的粘度为50～100mPa·s；调节PH值为10～11；步骤2真空压力浸渍：将C/SiC预制体真空压力浸渍在浆料a中，真空度为‑0.08MPa～‑0.10MPa，压力为0.8MPa‑1.0MPa；将浆料中的B4C和C有机前驱体浸渍进步骤1的C/SiC预制体中；步骤3固化裂解：将步骤2制备的材料在烘箱中依次在80℃和在150℃分别固化2小时，然后在氩气保护下900℃～1800℃热处理2小时裂解C有机前驱体，并使材料中被C有机前驱体封闭的孔打开，得到C/SiC‑B4C‑C；步骤5反应熔体渗透RMI：在高于硅锆合金熔点100℃～150℃的真空条件下将硅锆合金渗入至C/SiC‑B4C‑C中与B4C、C反应原位生成抗烧蚀成分ZrB2、ZrC，得到制备完成的C/SiC‑ZrB2‑ZrC复合材料。
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