[发明专利]一种C/SiC-ZrB2-ZrC超高温陶瓷基复合材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201110411123.0 申请日: 2011-12-10
公开(公告)号: CN102515870A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 王一光;皮慧龙;范尚武;成来飞;张立同 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: C04B41/87 分类号: C04B41/87;C04B35/80;C04B35/84
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 sic zrb sub zrc 超高温 陶瓷 复合材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种C/SiC-ZrB2-ZrC超高温陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于步骤如下:

步骤1:

复合材料预制体制备:将开气孔率为20vol%~30vol%的C/SiC复合材料预制体用超声波清洗至少30分钟,烘箱中80℃~100℃烘干得到C/SiC预制体;

浆料制备:将C有机前驱体、六次甲基四胺溶解在无水酒精中,然后加入B4C粉并球磨24小时以上得到浆料a;C有机前驱体和B4C粉质量比为1~2,六次甲基四胺质量为C有机前驱体质量的0.1倍;通过无水酒精的含量控制浆料的粘度为50~100mPa·s;调节PH值为10~11;

步骤2真空压力浸渍:将C/SiC预制体真空压力浸渍在浆料a中,真空度为-0.08MPa~-0.10MPa,压力为0.8MPa-1.0MPa;将浆料中的B4C和C有机前驱体浸渍进步骤1的C/SiC预制体中;

步骤3固化裂解:将步骤2制备的材料在烘箱中依次在80℃和在150℃分别固化2小时,然后在氩气保护下900℃~1800℃热处理2小时裂解C有机前驱体,并使材料中被C有机前驱体封闭的孔打开,得到C/SiC-B4C-C;

步骤5反应熔体渗透RMI:在高于硅锆合金熔点100℃~150℃的真空条件下将硅锆合金渗入至C/SiC-B4C-C中与B4C、C反应原位生成抗烧蚀成分ZrB2、ZrC,得到制备完成的C/SiC-ZrB2-ZrC复合材料。

2.根据权利要求1所述的C/SiC-ZrB2-ZrC超高温陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于:在步骤1中制备的浆料是将B4C粉加入质量分数0.5%~1%的纤维素钠CMC水溶液中球磨24小时以上得到浆料b,在步骤2中将C/SiC预制体真空压力浸渍在浆料b中;通过水溶液的含量控制浆料的粘度为50~100mPa·s,调节PH值为10~11。

3.根据权利要求1所述的C/SiC-ZrB2-ZrC超高温陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于:在步骤1中制备的浆料是将C有机前驱体、六次甲基四胺溶解在无水酒精中得到浆料c,在步骤2中将C/SiC预制体真空压力浸渍在浆料c中;通过无水酒精的含量控制浆料的粘度为50~100mPa·s,调节PH值为10~11。

4.根据权利要求1所述的C/SiC-ZrB2-ZrC超高温陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于:所述B4C为粉末且粒径小于1um。

5.根据权利要求1所述的C/SiC-ZrB2-ZrC超高温陶瓷基复合材料的制备方法,其特征在于:所述C有机前驱体是酚醛树脂、呋喃树脂或硅烷树脂。

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