[发明专利]一种去除工业硅中杂质硼的方法无效
| 申请号： | 201110410861.3 | 申请日： | 2011-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN102515168A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 伍继君;马文会;贾斌杰;谢克强;魏奎先;周阳;杨斌;刘大春;徐宝强;戴永年;王飞;刘永成 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种去除工业硅硼杂质的方法，属于光伏领域。首先，将工业硅粉碎成粒度为150～200目的粉末；按质量比1:1～3:1将精炼剂与工业硅混合均匀并装入高纯石墨坩埚中；将装完料后的石墨坩埚置于通有氩气保护的高频感应炉中进行逐步加热升温；待温度升高至1450～1800℃时，保温2～3h；精炼完成后缓慢冷却至室温，即获得精炼硅，采用氯化物去除工业硅中杂质硼的方法，突破了目前完全采用氧化物除硼的工艺和思路，精炼后工业硅中的硼含量最低可降至0.77ppmw，且本方法操作简单，实用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 工业 杂质 方法 | ||
【主权项】：
一种去除工业硅中杂质硼的方法，其特征在于：工业硅粉碎后，按质量比1～3:1的比例与精炼剂混合均匀并装入高纯石墨坩埚中，然后将高纯石墨坩埚置于通有氩气保护的高频感应炉中进行逐步加热升温，待温度升高至1450～1800℃时保温2～3h，精炼完成后缓慢冷却至室温，即可获得精炼硅。
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