[发明专利]一种制备半极性p型ZnO多晶薄膜的方法无效
| 申请号： | 201110410709.5 | 申请日： | 2011-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN102424951A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 吕斌;叶颖惠;叶志镇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C23C14/28 | 分类号： | C23C14/28;C23C14/08;C23C14/06 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 张法高 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种制备半极性p型ZnO多晶薄膜的方法。将纯ZnO陶瓷靶和Zn1-x-yCoxGayO陶瓷靶以及经清洗的非晶衬底放入脉冲激光沉积装置生长室中，保持靶材与衬底之间的距离为4-6cm;生长室真空度抽至优于4×10-4Pa，衬底加热升温到350-550℃，生长室通入纯氧气，控制生长气压为35-50Pa;开启激光器，频率为5Hz,让激光束聚焦到靶面烧蚀靶材，首先在所述的非晶衬底 上沉积半极性Zn1-x-yCoxGayO缓冲层,再于所述的缓冲层上制备半极性p型纯ZnO薄膜层，将薄膜层在40Pa氧气氛围下冷却至室温。本发明生长工艺成熟，操作简单，成本低廉，易于实现；制备的薄膜层具有良好的晶体质量和光学性能，为 |
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| 搜索关键词： | 一种 制备 极性 zno 多晶 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
一种制备半极性p型ZnO多晶薄膜的方法，其特征是：将纯ZnO陶瓷靶和Zn1‑x‑yCoxGayO陶瓷靶以及经清洗的非晶衬底 (1) 放入脉冲激光沉积装置生长室中，保持靶材与衬底之间的距离为4‑6cm; 生长室真空度抽至优于4×10‑4 Pa，衬底加热升温到350‑550℃，生长室通入纯氧气，控制生长气压为35‑50 Pa; 开启激光器，频率为5Hz, 让激光束聚焦到靶面烧蚀靶材，首先在所述的非晶衬底 (1) 上沉积半极性Zn1‑x‑yCoxGayO缓冲层 (2), 再于所述的缓冲层 (2) 上制备半极性p型纯ZnO薄膜层 (3)，将薄膜层 (3)在40Pa氧气氛围下冷却至室温。
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