[发明专利]LDMOS晶体管制造方法及LDMOS晶体管有效
| 申请号： | 201110407803.5 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103165452A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 杨文清;张帅 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种LDMOS晶体管的制造方法，首先在LDMOS晶体管的耗尽区上方形成氧化层，在靠近源极一端的LDMOS的耗尽区上方的氧化层上方形成有多晶硅场板；然后对LDMOS晶体管的耗尽区进行杂质离子注入，其中，对无多晶硅场板覆盖的LDMOS晶体管的耗尽区，进行垂直杂质离子注入；对于有多晶硅场板覆盖的LDMOS晶体管的耗尽区，进行斜角离子注入。本申请还公开了一种LDMOS晶体管。本申请在提高LDMOS晶体管的导通状态下的击穿电压的同时，又能避免关断状态的击穿电压下降。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS晶体管的制造方法，其特征在于，首先，在LDMOS晶体管的耗尽区上方形成氧化层，在靠近源极一端的LDMOS的耗尽区上方的氧化层上方形成有多晶硅场板；然后，对LDMOS晶体管的耗尽区进行杂质离子注入，其中，对无多晶硅场板覆盖的LDMOS晶体管的耗尽区，进行垂直杂质离子注入，即进行0度角杂质离子注入；对于有多晶硅场板覆盖的LDMOS晶体管的耗尽区，进行斜角离子注入，斜角离子注入的杂质离子的注入能量在大于垂直杂质离子注入的能量，斜角离子注入的杂质离子的注入剂量小于垂直杂质离子注入的能量，并且随着斜角逐渐增大到90度，杂质离子的注入能量逐渐增大，杂质离子的注入剂量逐渐减小。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
