[发明专利]一种氧化镍电致变色薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 201110406334.5 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN102515564A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 袁永锋;郭绍义;杨金林;裴有斌;方杰 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | C03C17/23 | 分类号： | C03C17/23;C01G53/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310018 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化镍电致变色薄膜及其制备方法。本发明氧化镍电致变色薄膜为NiO纳米线阵列薄膜，所述NiO纳米线的直径为5～100nm，长度为50nm～5μm。其制备方法是以聚甲基丙烯酸甲酯-b-聚苯乙烯嵌段共聚物为模板，在Ni(NO3)2和NaNO3的水溶液中阴极电沉积法制备前驱物Ni(OH)2纳米线阵列，甲苯溶液溶解去除模板后热处理获得NiO纳米线阵列薄膜。本发明的氧化镍电致变色薄膜性能良好，变色速度快，着色效率高，循环稳定性优良，可以组装成各类电致变色器件，在信息存储、建筑玻璃灵巧窗、大屏幕显示等领域有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 镍电致 变色 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化镍电致变色薄膜，其特征在于，为NiO纳米线阵列薄膜，其中，所述NiO纳米线的直径为5～100nm，长度为50nm～5μm。
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