[发明专利]一种氧化镍电致变色薄膜及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201110406334.5 申请日: 2011-12-08
公开(公告)号: CN102515564A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 袁永锋;郭绍义;杨金林;裴有斌;方杰 申请(专利权)人: 浙江理工大学
主分类号: C03C17/23 分类号: C03C17/23;C01G53/04;B82Y40/00
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 胡红娟
地址: 310018 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化 镍电致 变色 薄膜 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于薄膜材料领域,具体涉及一种氧化镍电致变色薄膜及其制备方法。

背景技术

以NiO、WO3为代表的电致变色材料是目前最具有应用前景的智能材料之一。电致变色材料对光线的可逆调制作用使其既可用作护目镜、汽车的防眩镜,又可作为节能的智能玻璃,少数发达国家已将其列为新一代重点发展的节能材料;此外,电致变色材料在军事伪装、信息存储、电子显示等领域也有广阔的应用前景。阻碍电致变色材料应用的核心问题是如何提高变色速度、着色效率和循环稳定性等电致变色性能,使其达到工业化应用要求。为了提高电致变色性能,国内外在制备方法、掺杂、复合和添加保护层等方面做了大量工作,纳米化和多孔化是目前的主要研究热点。但是当前的纳米电致变色薄膜基本呈二维平面结构,电极材料和电解液的接触局限于电极材料的外表面,反应面积有限,不能显著改善NiO的电极反应动力学性能。虽然纳米多孔结构能够提供更多的反应面积,但是内孔洞结构不利于OH-在电极之间的往返迁移,只能部分提高转换速度。此外,NiO的二维平面膜结构还导致变色效果和转换速度的矛盾关系突出。NiO的二维平面膜结构决定了电子和离子在薄膜内是由表及里的扩散,扩散时间较长,为了缩短NiO变色时间,满足电致变色器件的实用要求,需减小膜厚,但这会降低NiO薄膜的离子存储能力,减小变色效果。

发明内容

本发明提供了一种氧化镍电致变色薄膜及其制备方法,该薄膜具有纳米线阵列结构,有效地提高NiO的变色速度、着色效率和循环稳定性等电致变色性能。

一种氧化镍电致变色薄膜,为NiO纳米线阵列薄膜,其中,所述NiO纳米线的直径5~100nm,长度为50nm~5μm。

所述的氧化镍电致变色薄膜的制备方法,包括以下步骤:

(1)将聚甲基丙烯酸甲酯-b-聚苯乙烯(PMMA-b-PS)和聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶解于甲苯形成聚合物总质量百分比为0.5~20%的溶液,其中,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的质量为聚甲基丙烯酸甲酯-b-聚苯乙烯(PMMA-b-PS)的质量的1~50%;

(2)将步骤(1)得到的溶液旋涂到清洗过的ITO(Indium-Tin Oxide,氧化铟锡)玻璃上,旋涂速度为300~1000rpm,旋涂时间为10~120s;旋涂完成后,将ITO玻璃转移至处于室温下饱和丙酮气氛的密闭容器中保持1~5小时,取出后在空气中再放置1~5小时,之后浸入醋酸溶液1~10min,再去离子水洗,在ITO玻璃上获得聚甲基丙烯酸甲酯-b-聚苯乙烯(PMMA-b-PS)嵌段共聚物纳米多孔模板;

(3)以ITO/聚甲基丙烯酸甲酯-b-聚苯乙烯纳米多孔模板为工作电极,Pt电极为对电极,Ag/AgCl为参比电极,由0.1~2摩尔/升的Ni(NO3)2和0.01~0.2摩尔/升的NaNO3组成的水溶液为电解液,在0.2~2mA cm-2的恒定电流下,通过阴极电沉积法在所述工作电极上生长前驱物Ni(OH)2纳米线阵列;电沉积120~1200s后,将所述工作电极取出,经去离子水清洗干净后置于甲苯溶液溶解去除聚甲基丙烯酸甲酯-b-聚苯乙烯(PMMA-b-PS)模板,在ITO玻璃上得到前驱物Ni(OH)2纳米线阵列;

(4)将步骤(3)得到的有前驱物Ni(OH)2纳米线阵列的ITO玻璃在空气气氛下在300~400℃煅烧1~3小时,在ITO玻璃上得到NiO纳米线阵列薄膜,其中,NiO纳米线的直径为5~100nm,长度为50nm~5μm。

步骤(1)中,优选采用平均分子量小于300000的聚甲基丙烯酸甲酯-b-聚苯乙烯和平均分子量小于300000的聚甲基丙烯酸甲酯,最优选采用平均分子量为263000的聚甲基丙烯酸甲酯-b-聚苯乙烯和平均分子量为15000的聚甲基丙烯酸甲酯。

步骤(2)中,所述的清洗过的ITO玻璃,是通过以下步骤得到的:将ITO玻璃首先用氯仿清洗30分钟,然后用体积比为1∶1的异丙醇和丙酮的混合溶液超声波清洗,再用无水乙醇超声波清洗,最后去离子水清洗干净,干燥。

步骤(3)中,优选由0.9摩尔/升的Ni(NO3)2和0.08摩尔/升的NaNO3组成的水溶液为电解液。

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