[发明专利]器件隔离结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201110402802.1 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN103151294A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 高杏;刘继全;罗啸 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种器件隔离结构及其制造方法，该结构，包括：硅衬底，位于硅衬底上的第一隔离层和有源区，其中，有源区由注入的第二隔离层上生长的单晶硅所形成，第一隔离层和有源区间隔排列；第一隔离层由介质层在硅衬底上淀积形成，并能开出有源区窗口；第二隔离层则在有源区窗口内注入有源区反型杂质形成；该制造方法，包括：1)在硅衬底上完成第一隔离层的淀积；2)在第一隔离层上进行刻蚀，形成有源区窗口；3)在有源区窗口注入与MOS Well区反型的离子，退火修复，形成第二隔离层；4)利用选择性外延，在有源区窗口内生成单晶硅。本发明能以更低成本，实现与SOI类似的全隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 隔离 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种器件隔离结构，其特征在于，包括：硅衬底，位于硅衬底上的第一隔离层和有源区，其中，有源区由注入的第二隔离层上生长的单晶硅所形成，第一隔离层和有源区间隔排列；所述第一隔离层由介质层在硅衬底上淀积形成，并能开出有源区窗口；所述第二隔离层，通过注入工艺在有源区窗口内注入有源区反型杂质形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
