[发明专利]非易失性存储器件的编程方法在审
| 申请号： | 201110397916.1 | 申请日： | 2011-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN102789814A | 公开（公告）日： | 2012-11-21 |
| 发明（设计）人： | 徐智贤;金秉国;郑成在 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器件的编程方法，包括以下步骤：将编程电压施加给选中的字线；将第一通过电压施加给与所述选中的字线相邻的至少一个字线；将比所述第一通过电压低但比隔离电压高的至少一个第一中间电压施加给与接收所述第一通过电压的字线相邻的至少一个字线；将所述隔离电压施加给与接收所述第一中间电压的字线相邻的字线；将比所述隔离电压高但比第二通过电压低的至少一个第二中间电压施加给与接收所述隔离电压的字线相邻的至少一个字线；以及将所述第二通过电压施加给与接收所述第二中间电压的字线相邻的至少一个字线。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件的编程方法，所述非易失性存储器件包括具有位于漏极选择线和源极选择线之间的多个字线的存储单元阵列，所述编程方法包括以下步骤：将编程电压施加给选中的字线；将第一通过电压施加给与所述选中的字线相邻的至少一个字线；将比所述第一通过电压低但比隔离电压高的至少一个第一中间电压施加给与接收所述第一通过电压的字线相邻的至少一个字线；将所述隔离电压施加给与接收所述第一中间电压的字线相邻的字线；将比所述隔离电压高但比第二通过电压低的至少一个第二中间电压施加给与接收所述隔离电压的字线相邻的至少一个字线；以及将所述第二通过电压施加给与接收所述第二中间电压的字线相邻的至少一个字线。
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